第370章 mos（第2页）

    8008，10的p0s。
    个4kbit的dra，8的n0s。
    个91bit的dra，5的n0s。
    大名鼎鼎的80868088，3的n0s。
    彻底巩固了te1数十年基业的80286，15的bsp;至于为什么大家都不约而同的在这个应用方向上选择了0s技术，那就不得不说0s的优点了。
    这玩意工艺简单！
    比双极型简单得多，不是一星半点那种！
    抛开复杂的技术原理等等不说，简单总结，以p0s和双扩散外延双极型为例，要达到差不多同样的效果，两者工艺差别非常巨大。
    p0s外延次数1次，工艺步数最多45步，高温工艺2步，光刻最多5次。
    而双扩散外延双极型的这些数字，分别是4次以上、130步、10步、8次。
    工序更少、工艺更简单、良品率更高
    对于量产来说，这些特么可都是钱呐！
    而且对于现在的高振东来说，工艺步数越少，就意味着成功率越高。
    两者用到的基础技术实际上是差不多的，最大的区别是在晶体管的工作原理上，所以在这个阶段的技术难度上，有了高振东当知识的搬运工，更晚、更先进的0s甚至要比双极型要低。
    0s技术还有一个非常逆天、非常反直觉的地方。
    在同代次内，更改0s电路的设计，对于0s的工艺没有任何影响，0s电路的性能的改变，是通过改变0s场效应管的几何设计来实现的。
    双极型在这种情况下是要通过改变诸如扩散源、扩散时间、扩散温度等工艺参数来实现电路性能的改变，但是0s电路就不，它的工艺是不变的。
    而且这种改变几何设计就能改变性能的特点，带来了0s集成电路的另外一个好处——更便于实现计算机辅助设计，实现半自动或者自动化设计。
    除了上面这些好处之外，双极型半导体本身，有一个最大的缺陷注定了它在大规模、大规模集成电路上走不远。
    ——它做不小！
    但是0s可以！
    这个情况的原因很多。
    一来，0s管子的面积天生就比双极型要小。
    二来，双极型晶体管需要隔离pn结或者隔离井，0s不需要。
    第三，0s天生就提供了两层互连，这让它的内部布线更为方便。
    0s的这么多优点，又带来了一些系统级别的衍生好处，诸如系统性能更高、设计可预测性更好、可靠性和维护性更好等等。
    有趣的是，实际上0s场效应管概念的提出，要比双极型管子早，之所以普及更晚，是受工艺的制约。
    这就好像汽车，电动车的概念比蒸汽车、内燃车更早，那是十九世纪末期的事情，但是真正大规模实用，都特么二十一世纪了。
    但是工艺这个问题，对高振东来说，问题就不是太大了，他能抄啊！